Le memorie non volatili, capaci di archiviare le informazioni anche quando l’alimentazione viene rimossa, sono largamente impiegate nei computer, tablet, pen drive e molti altri dispositivi elettronici.
L’ascesa delle MRAM
Tra le varie tecnologie esistenti, le memorie magnetoresistive ad accesso casuale (MRAM), attualmente utilizzate solo in applicazioni specifiche, sono destinate a espandersi notevolmente sul mercato nel prossimo decennio.
Le più recenti MRAM, basate su meccanismi spintronici, sono in grado di offrire operazioni più veloci, un minore consumo energetico e una memoria per applicazioni moderne, tra cui, nei dispositivi indossabili, nell’industria automobilistica e nell’IoT, per citarne alcune.
In questo contesto, il grafene e altri materiali 2D possono svolgere un ruolo innovativo. Grazie alle loro caratteristiche straordinarie e peculiari, possono fornire risposte alle nuove esigenze tecnologiche e alle limitazioni delle prestazioni che impediscono un’ulteriore efficiente diffusione delle MRAM, con un forte impatto sulla progettazione dei dispositivi spintronici di prossima generazione.
L’articolo prospettico realizzato dall’Istituto Catalano di Nanoscienze e Nanotecnologie (ICN2), presso l’Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), e dall’Università Nazionale di Singapore, fornisce così una panoramica dello stato dell’arte del settore e delle sfide che si stanno affrontando nello sviluppo delle memorie non volatili e, nello specifico, di quelle che impiegano meccanismi spintronici, approfondendo i vantaggi dalla cointegrazione di materiali 2D in queste tecnologie e offrendo una visione dei miglioramenti già ottenuti e una prospettiva dei molti progressi che la ricerca potrà apportare.
https://phys.org/news/2022-06-non-volatile-memory-technologies-2d-materials.html
